Name: onsemi 3LN01C-TB-E
Brand: onsemi
SKU: 3LN01C-TB-E
Availability: InStock
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onsemi 3LN01C-TB-E

Artikelnummer:

3LN01C-TB-E

Hersteller / Marke:

AMI Semiconductor/onsemi

Teil der Beschreibung.:

MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP

Datenblätte:

1.3LN01C-TB-E.pdf ···: 2D -Zeichnungen
3LN01C.pdf Mult Dev EOL 19/Dec/2017.pdf onsemi RoHS.pdf

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Lead free / RoHs compliant

ECAD -Modell:

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DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS

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Spezifikationen
Einkaufshandbuch
Versandinformationen
Verpackung

~~onsemi 3LN01C-TB-E Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments 3LN01C-TB-E.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	-
Vgs (Max)	±10V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	SC-59-3/CP3
Serie	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.7Ohm @ 80mA, 4V
Verlustleistung (max)	250mW (Ta)
Verpackung / Gehäuse	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	7 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.58 nC @ 10 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	150mA (Ta)
Grundproduktnummer	3LN01
3LN01C-TB-E Einzelheiten PDF [English]	3LN01C-TB-E PDF - EN.pdf

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- Kurzer Erläuterung oder Testbericht, in denen der Grund für die Rückkehr angegeben ist
Rückgaben werden nach 60 Tagen nicht akzeptiert.Zurückgegebene Elemente müssen in Originalverpackungen und einem realierbaren Zustand sein.Rückgaben aufgrund von Kundenfehlern zum Zeitpunkt des Angebots oder des Kaufs werden nicht akzeptiert.Wenden Sie sich vor dem Versand an den Kundendienst für die Rücksendung der Genehmigung.

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